某有限公司的筆試題

 
1．畫(huà)出NMOS的特性曲線(xiàn)（指明飽和區(qū)，截至區(qū)，線(xiàn)性區(qū)，擊穿區(qū)和C-V曲線(xiàn)）
2．2.2um工藝下，Kn＝3Kp，設(shè)計(jì)一個(gè)反相器，說(shuō)出器件尺寸。
3．說(shuō)出制作N-well的工藝流程。
4．雪崩擊穿和齊納擊穿的機(jī)理和區(qū)別。
5．用CMOS畫(huà)一個(gè)D觸發(fā)器（clk，d，q，q-）。

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